NRAM, kependekan dari nano-RAM atau nanotube-based/nonvolatile random access memory, adalah teknologi penyimpanan memori baru yang dimiliki oleh perusahaan Nantero. Teknologi ini memadukan nanotube karbon kecil dengan semikonduktor konvensional. Karena elemen yang mengandung memori, nanotube, sangat kecil, teknologi NRAM akan mencapai kepadatan memori yang sangat tinggi: setidaknya 10-100 kali yang terbaik saat ini. NRAM akan beroperasi secara elektromekanis daripada hanya secara elektrik, membedakannya dari teknologi memori lainnya sebagai bentuk memori yang tidak mudah menguap, yang berarti data akan disimpan bahkan ketika daya dimatikan. Pencipta teknologi mengklaim bahwa ia memiliki kelebihan dari semua teknologi memori terbaik tanpa kekurangan, menyiapkannya sebagai media universal untuk memori di masa depan.
Tabung nano karbon adalah tabung atom karbon kecil, lebarnya hanya beberapa nanometer — 1/100,000 lebar rambut manusia. Dinding nanotube karbon terdiri dari atom karbon tunggal. Tabung nano sama kakunya dengan berlian dan menghantarkan listrik seperti halnya tembaga. Dalam beberapa tahun terakhir, biaya produksi massal nanotube telah anjlok.
Dengan membuat “kain” tipis nanotube dan mengaturnya di persimpangan pada wafer silikon yang disematkan dengan sirkuit konvensional, sistem memori elektro-mekanis hibrida dapat dibuat. Sebuah nanotube dikonfigurasi dalam satu posisi akan menunjukkan 1, dan di posisi lain bisa menunjukkan 0. Manufaktur dimulai ketika lapisan tipis nanotube tersebar di permukaan wafer, kemudian nanotube fungsional yang tidak perlu dihapus menggunakan teknik litografi konvensional.
NRAM yang diproduksi secara massal dapat menggantikan DRAM (RAM dinamis), SRAM (RAM statis), memori flash, dan akhirnya penyimpanan hard disk itu sendiri. Ini akan mengarah ke komputer “instan-on”, dan perangkat berukuran PDA dengan memori hingga 10GB. Karena nanotube sangat kokoh dan dasar yang mendasari operasinya adalah mekanis, perangkat NRAM akan sangat tahan terhadap keausan, termasuk panas, dingin, dan magnet. Mereka juga akan mengarah ke perangkat yang langsung aktif dan menggantikan dua jenis RAM populer yang digunakan saat ini — RAM flash dan DRAM. Karena elemen fungsional dalam teknologi NRAM berukuran nanometer, NRAM memenuhi syarat sebagai nanoteknologi dalam pengertian umum, tetapi bukan nanoteknologi molekuler (manufaktur molekuler), karena elemen berukuran nanometer tidak mampu membuat produk tambahan dengan presisi atomik.