Spintronics adalah bentuk baru lahir elektronik yang menggunakan keadaan magnetik (spin) elektron untuk mengkodekan dan memproses data, daripada menggunakan muatan listrik. Secara teknis, spin adalah properti kuantum, terkait erat tetapi tidak persis sama dengan magnetisme. Oleh karena itu, spintronics terkadang dianggap mengeksploitasi efek kuantum. Sebuah elektron dapat memiliki putaran atas atau bawah, tergantung pada orientasi magnetnya. Kemagnetan bahan feroelektrik, nonkonduktor yang menjadi terpolarisasi ketika terkena medan listrik, ada karena banyak elektron dalam objek semacam itu semuanya memiliki putaran yang sama.
Juga dikenal sebagai magnetoelektronik, spintronics berpotensi menjadi media memori yang ideal untuk komputasi. Telah diklaim bahwa memori spintronic, atau MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) memiliki potensi untuk mencapai kecepatan SRAM (RAM Statis), kepadatan DRAM (RAM Dinamis), dan non-volatilitas memori flash. Non-volatilitas berarti bahwa data masih dikodekan saat daya dimatikan. Spintronics juga disebut sebagai langkah menuju komputasi kuantum.
Karena sifatnya yang tidak mudah menguap, MRAM atau spintronics lainnya suatu hari nanti dapat digunakan untuk membuat komputer instan dan memori, perangkat penyimpanan, dan baterai yang sangat nyaman. Teknologi ini juga dapat digunakan untuk membuat perangkat elektronik yang lebih kecil dan lebih cepat serta mengkonsumsi lebih sedikit daya. Diproyeksikan bahwa perangkat MRAM akan tersedia secara komersial pada tahun 2010, dengan perangkat spintronics lainnya menyusul pada awal remaja.
Terobosan pertama yang diakui secara luas dalam spintronics adalah eksploitasi magnetoresistance raksasa, atau GMR, sebuah teknologi yang sekarang digunakan di kepala baca sebagian besar hard drive. GMR dan spintronics lainnya dapat digunakan untuk mendeteksi medan magnet yang sangat kecil dengan menggunakan bahan nonmagnetik yang diapit di antara dua pelat magnet. Bahan ini mengubah resistivitas listriknya dengan cepat berdasarkan orientasi magnetik pelat. GMR bisa 100 kali lebih kuat dari magnetoresistance biasa. Terkadang perangkat GMR disebut sebagai katup putar.
Mensintesis perangkat berbasis MRAM dapat menjadi nyaman karena teknik fabrikasi yang terlibat memiliki banyak kesamaan dengan teknik fabrikasi semikonduktor silikon konvensional. Proposal untuk perangkat terintegrasi elektronik/magnetik adalah hal biasa. Pada tahun 2002, IBM mengumumkan bahwa mereka telah mencapai kapasitas penyimpanan satu triliun bit per inci persegi dalam perangkat penyimpanan prototipe.