Magnetron sputtering adalah jenis deposisi uap fisik, proses di mana bahan target diuapkan dan diendapkan pada substrat untuk membuat film tipis. Karena menggunakan magnet untuk menstabilkan muatan, magnetron sputtering dapat dilakukan pada tekanan yang lebih rendah. Selain itu, proses sputtering ini dapat membuat film tipis yang akurat dan terdistribusi secara merata, dan memungkinkan lebih banyak variasi dalam bahan target. Magnetron sputtering sering digunakan untuk membentuk film tipis logam pada bahan yang berbeda, seperti kantong plastik, compact disc (CD), dan digital video disc (DVD), dan juga umum digunakan dalam industri semikonduktor.
Umumnya, proses sputtering tradisional dimulai di ruang vakum dengan bahan target. Argon, atau gas inert lainnya, perlahan-lahan dibawa masuk, memungkinkan ruangan mempertahankan tekanan rendahnya. Selanjutnya, arus dimasukkan melalui sumber daya mesin, membawa elektron ke dalam ruang yang mulai membombardir atom argon dan menjatuhkan elektron di kulit elektron terluarnya. Akibatnya, atom argon membentuk kation bermuatan positif yang mulai membombardir bahan target, melepaskan molekul kecilnya dalam bentuk semprotan yang terkumpul di substrat.
Meskipun metode ini umumnya efektif untuk membuat film tipis, elektron bebas di dalam ruang tidak hanya membombardir atom argon, tetapi juga permukaan bahan target. Ini dapat menyebabkan tingkat kerusakan yang besar pada material target, termasuk struktur permukaan yang tidak rata dan panas berlebih. Selain itu, sputtering dioda tradisional dapat memakan waktu lama untuk diselesaikan, membuka lebih banyak peluang untuk kerusakan elektron pada material target.
Magnetron sputtering menawarkan tingkat ionisasi yang lebih tinggi dan kerusakan elektron yang lebih sedikit pada material target dibandingkan teknik deposisi sputter tradisional. Dalam proses ini, magnet dimasukkan di belakang sumber listrik untuk menstabilkan elektron bebas, melindungi bahan target dari kontak elektron, dan juga meningkatkan kemungkinan elektron akan mengionisasi atom argon. Magnet menciptakan medan yang membuat elektron tertahan dan terperangkap di atas bahan target di mana mereka tidak dapat melukainya. Karena garis-garis medan magnet melengkung, jalur elektron di dalam ruang diperpanjang melalui aliran argon, meningkatkan laju ionisasi dan mengurangi waktu hingga film tipis selesai. Dengan cara ini, sputtering magnetron mampu mengatasi masalah awal waktu dan kerusakan material target yang terjadi dengan sputtering dioda tradisional.